AMD锐龙6000系列处理器关键技术解析及测试：Zen 3+架构、6nm工艺加持

p> 整整想想全新近Zen 3+组件。AMD的Zen 3组件是近几年来最成功、耐用性最出新彩的CPU组件之一。AMD元谋人6000第三部飘移AMD采行Zen 3修改新版本的Zen 3+组件，AMD辩称其所有的可用性设计者都是为了效能，这个最初组件有两个设计者目标：获取x86手写电脑险胜的耐用性，同时获取x86手写电脑最佳的锂离子滞空平庸。为了超出新这两个目标，AMD为Zen 3+组件同步进行了五大各个方面的可用性。

第一个各个方面是在此之后所本记事引用的全最初6nm工艺技术。AMD通过新近工艺技术的修改，需要获取尽可能不会颇高的每瓦耐用性和每平方毫米耐用性。第二个各个方面则是为组件各个方面的修改。AMD为Zen 3+组件获取了50多项有关小型化量各个方面的修改。AMD给出新了一个研究课题的目录，如下：

1. 针对每个内核的额定功率和计时操纵（Per-Thread Power/Clock Control）：实质性精细简化CPU内外时脉操纵量值，现在可以做到针对每个内核同步进行操纵，而不是传统记事简化的每个必需。这样做的可能会是，一个内核在必需内行驶时，可能不会并不所需醒觉必需的所有至少有，这可以在很大层面上将能量简单地分配到那些所需操作者的至少有，其余至少有则依旧保持低时脉静止状态。 2. 压差操纵（LEAKAGE）：设计者侧和工艺技术侧共同适切同步进行压差各个方面的操纵，以取得来得好的效能。 3. 延误L3堆栈（Delayed L3 Initialization）：CPU醒觉的步骤可以跳过L3同步进行操作者，以提高延误。一般来说，醒觉步骤如果所需堆栈L3的话所需耗用来得多的间隔时间，Zen 3+组件采行了异步L3设计者，醒觉CPU时不所需同步堆栈L3，更少了间隔时间并增大了时脉。 4. 堆栈缺失可用（Cache Dirtiness Counter）：当堆栈岗位设备较颇高的时候，比如岗位设备多达据量大于L3使用量，这个时候L3堆栈不会出新现时有的缺失。一般来说，堆栈在这个可能会下不会进到低时脉静止状态。但AMD在Zen 3+之中禁止在这种可能会下堆栈进到低时脉静止状态，而是不间断保持堆栈的耐用性。短期来看这对小型化量平庸不利，但是考虑到CPU短期岗位的所需，不不会时有醒觉、休眠堆栈从而遭受L3堆栈延误减小，因此短远来看反而是实在阳能、减小耐用性的设计者。 5. 振幅电流操纵（Peak current control）：尽可能不会好的操纵电流从空闲到振幅的额定功率斜率，以下降压力并更少亦可电，避免对城铁遭受致使。 6. 针对内核的CPPC（CPPC per thread capability）：在此之后所操作者系统会只针对每个必需同步进行岗位设备操纵，现在可以直接针对每个内核。 7. PC6以后步骤（PC6 RESTORE）：通过插件辅助，系统会可以来得来得快的从清醒之中以后并获取耐用性，这个操作来得快比上代的产品来得快了4倍。 8. 可选择性的SCFCTP静止状态保存（Selective SCFCTP Save on PC6 Entry）：当系统会从PC6静止状态之中以后时，参考资料进到PC6静止状态在此之后所的系统会借助于率，并可选择性的醒觉至少有组件，而不是所有。 9. 大振幅提颇高的CC1静止状态（Enhanced CC1 State）：当指令集不会岗位保持稳定空闲静止状态时，用到来得好的方式将其纳入清醒静止状态。

从AMD的动态描绘来看，由于Zen 3+针对的是飘移AMD美国市场，因此其绝大至少有动态修改都是针对飘移的设备在进到休眠、清醒静止状态的实在阳能或来得加速醒觉的短时间自发设计者。一般来说，诸如AMD元谋人7 6800HS这样以外8个CPU必需的大型AMD是难以在同间隔时间内构建整个CPU至少有都呈现正因如此静止状态的，总有一至少有模块、必需甚至几乎全部AMD都保持稳定空闲静止状态，因此如果能无论如何确实哪些组件保持稳定空闲静止状态并擅自其促使清醒以更少小型化量，并且还可以从清醒静止状态促使醒觉以提颇高自发来得快，是极其举足轻重的。值得注意的是，不断的操作指令集的岗位静止状态本身也是耗能的，这里就涉及到AMD对AMD的终侧操纵设计方案，这一点也极其过关斩将SoC设计者意志力。

第三个大的修改各个方面则是SoC等级的小型化量操纵。前所记事介绍了Zen 3+ CPU指令集的小型化量操纵，整整持续上升一个等级带回了SoC各个方面。AMD表列出新了5个各个方面的小型化量操纵可能会，分别是：

1.AMD Infinity Fabric的Z-STATES静止状态。AMD的SoC内外采行了Infinity Fabric交换机连接，由于SoC内外的多种不同模块并不是一直保持稳定正因如此静止状态，因此自发的交换机多达据传输也所需实在阳能操纵。在这里AMD设定了4个静止状态，分别是DFC0、DFC1、DFC2和DFC3，分别针对Infinity Fabric的娱乐活动（正因如此）、轻任务、保持静止状态以及清醒静止状态，这样可以来得好地构建SoC各个方面的小型化量操纵。 2. SoC时脉分区操纵：AMD减小了3个静止状态，分别是被称做Z10静止状态的主要组件停止用到、Z9静止状态的晶片停止用到但是表明模块推入以及DRAM自创出新等。 3.低时脉设计者：这至少有主要是工艺技术各个方面的段落，比如在此之后所引用的6nm工艺技术，采行可用性设计者库、低时脉的布局和封装等。这至少有段落表明AMD可能不会针对TSMC N6工艺技术来得侧重于实在阳能设计者。 4.来得加速清醒静止状态以后反质子：AMD在最初SoC的至少限于CPU、GPU、Infinity Fabric交换机、寄存器操纵器以及表明增压器各个方面都转为了最初、来得来得快操作清醒和以后静止状态的反质子，需要使得这些组件来得来得加速的进到清醒静止状态，也能来得来得加速的从清醒静止状态之中以后。 5.网络服务时脉操纵：这至少有主要是AMD对整个的设备网络服务时脉操纵的段落，至少限于采行低时脉的LPDDR5寄存器、赞同大于1W的表明至少有、赞同表明扬声器自创出新以及自适应来得新近等新近技术。 有关SoC等级的时脉操纵，AMD还给出新极其详细的段落。其主要至少限于：一是针对CPU、GPU、表明以及USB、交换机等至少有的独立设备分区操纵；二是最初插件辅助反质子，用于来得来得加速的操作组件的清醒和醒觉静止状态；三是修改的计时中途性和设备中途性，AMD提高了新近AMD的物理计时和额定功率中途性动态，并且适用范围于所有的模块和两组；四是最初寄存器操纵机制，转为了最初RAM关机操纵，并且以外最初旁路种系统可以使得RAM直接用到非标设备来构建实在阳能动态，还可以针对多种不同的寄存器出口处、寄存器插座和寄存器基底同步进行操纵；最后则是新近型EDC操纵器，大振幅提颇高了AMD的电工设计者遵守操纵，以构建SoC来得多的颗粒的操纵。转简化在此之后所的段落和后续附加的段落，AMD必需上针对整个SoC同步进行了全盘而细量值的操纵，这反之亦然AMD在飘移AMD的时脉操纵上早就极其成熟了。

第四个大各个方面则是插件操纵。这里主要指的是针对整个手写电脑网络服务的解码器器和插件操纵的段落。在在此之后所的绝大至少有手写电脑上，Windows（或者其他操作者系统会）不会根据自己的选项设置比如“连续性”“颇高耐用性”“实在阳能”来同步进行整个系统会的时脉、耐用性和空调系统会操纵，当然有些OEM产品也不会获取自己的定制简化操纵。不过，AMD本次获取了极其简单的新版本，希望可以为其他用户获取耐用性来得颇高、极其实在阳能的设计者，并且整个操纵全然不所需其他用户手动操作者，这就是AMD最初时脉管理组件（POWER MANAGEMENT FRAMEWORK），简称做PMF。

PMF可以从手写电脑传感器得到各种多达据，比如压缩机转速、AMD湿度、SoC小型化可能会、表明电子邮件、岗位设备、阻尼可能会等，将其匹配为额定功率配有记事件，输入极其全然一致可能会的配有段落，全然一致至少限于系统会配有电子邮件（SPL、fPPT、sPPT、STT等系统会额定功率、耐用性操纵电子邮件）、PMFW DC配有电子邮件、其他系统会电子邮件（至少限于CPU振幅、压缩机操纵、表明亮度、触摸端锁定、终侧DC操纵等）等，从而构建险胜的实在阳能配有和颇高耐用性配有。

AMD的电子邮件表明，PMF将根据至少至少可能会同步进行处理，其段落将直接写入系统会解码器器，其他用户不可手动停止用到，只有AMD和亦可应商（也就是手写电脑产品）才能重新近考虑否用到PMF。对其他用户来说，只要可选择Windows的标准配有记事件，AMD的PMF就可以系统会重启，其他用户虽然可以在系统会之中可选择多种不同的配有设计方案或者自愿进到某种种系统，但这只不会改变PMF的操纵范围，并不可自愿停止用到PMF。不过，现阶段所不会产品表明自己否投入使用了PMF，更实质性可能不会也不不会有实在多假消息披露，因此PMF可能不会将不不会成为的产品电子邮件的一至少有，对那些有特殊需要的其他用户来说，中途难以取得系统会时脉和耐用性操纵的全部动态。

第五个大各个方面是整个网络服务的操纵，主要至少限于最初表明操纵可用性至少有。这至少有段落较多，主要至少限于这些段落：最初Z-STATES，这个动态可以通过PSR-SU（扬声器自我创出新-可选择性来得最初动态），使得SoC逐步停止用到表明操纵器，以更少热能；赞同略高于1W时脉的扬声器，比如300nits仅次于亮度的1080p扬声器，从而构建来得短的设备更长；PSR-SU操纵，这个动态可以使得其他用户在播放图片时增大触摸端创出新率，从而更少小型化量。至少有图片一般以24Hz制作和播放，因此表明端也不会必要在传统记事简化的60Hz下创出新，增大至24Hz创出新可以更少大量小型化量等。

上述五个大各个方面的小型化量操纵修改就是AMD在Zen 3+组件上获取的五大等级的修改。至少至少上从AMD的描绘来看，这些修改并不是至少至少着眼于Zen 3+，而是扩及整个SoC的方各个方面面。通过上述修改，AMD元谋人6000第三部飘移AMD在大大提颇高Zen 3组件耐用性的坚实上，还导致了时脉各个方面的前所未见减小。

另外还所需提及的是，AMD在元谋人6000第三部飘移AMD的外置GPU各个方面采行了全最初AMD RDNA 2组件，可谓是跨越式的减小，最初组件导致了翻倍的贴图耐用性和来得多动态，尤其是导致了对DirectX 12的赞同，转为了反射跟踪等极其传统记事简化的API等。当然对反射跟踪来说，在这样的应用插件插件上至少至少上并无实在多至少至少意义，但是这在美国市场侧需要形成对惠普在新近技术和竞争者上的之外是在占优势。再次加上LPDDR5或者DDR5导致的颇高带阔，AMD的元谋人6000第三部飘移AMD在贴图耐用性上看来进了一大步，竞争能力来得强了。

ROG苍14 2022款领衔，AMD元谋人9 6900HSAMD试验 我们本次拿回的样车是ROG苍14 2022款，月内的新近款ROG苍14同样适配轻巧顺理成章潮玩手写，它在轮廓设计者上保持一致了前所代的产品的音乐风格，其之中我们拿回星空新版本也保留了前所代的产品上开侧的AniMe Matrix光显乘积端设计者，不过新近款SP的光显乘积端打孔多达量来得多，超出新1449个，前所代的产品至少1215个，反之亦然新近款SP光显乘积端的表明视觉效果来得好。

配有上的适配是月内苍14的仅次于举世闻名。ROG苍14 2022款是元谋人6000第三部新近品手写之中的首批AMD超威卓越网络服务SP，它配有AMD元谋人6000第三部HSAMD以及AMD Radeon RX 6000S第三部独显，触摸端各个方面则配有ROG星团端，这块触摸端以外2560×1600分辨率、120Hz颇高创出新率、3ms自发间隔时间、100% DCI-P3色域、500nits亮度，并赞同AMD Free Sync和Digital的点。颇高计量的触摸端素质使得新近款苍14需要导致出新彩的表明视觉效果，无论是办公大楼还是该游戏、娱乐，都能满足需要。另外，苍14 2022款还配有赞同激光人脸识别的摄像头，可刷脸登录系统会，这也是相对前所代的产品的举足轻重适配。

相符合触摸端DCI-P3色域覆盖总面积超出新98%。

除了插件配有上的适配，新近款苍14还赞同双显三模操作新近技术，游戏内日常办公大楼或者外出新用到时可以操作到纯集显种系统，以提颇高锂离子滞空间隔时间；而在该游戏或者创作时，则可以操作到独显输入种系统，提颇高该游戏帧多达和创作效率。

另外，新近款苍14内外还采行了双压缩机、四出新风口设计者，空调系统会至少有适配为双热管+至少有热板，需要导致来得好的空调系统会平庸，而且CPU和GPU口部还采行了暴力熊液态金属来导热，实质性减小空调系统会意志力。

▲在22.4℃生存环境双烤30分钟后，这台的设备的外表最颇高湿度为57.3℃，位于转轴左侧的出新风口靠近。扬声器大至少有区域的湿度低，其之中WASD方位的湿度保持在26.2℃，超出新AMD超威卓越网络服务的标准（大于40℃）。

新近款苍14的C面相对前所代的产品来说变异不大，几乎采行白色背光扬声器，1.7mm键程用到紧紧比较舒适，全键无冲、录入补拍键独立在主扬声器外、动态键原则上分区等确实设计者一个不少，而且新近款苍14的空格键取消了加阔设计者，同时触控板总面积也相对前所代增大了50%，无论如何来得符合轻巧顺理成章潮玩手写的适配。接口各个方面，新近款苍14在保留前所代的产品的特色之上（比如机身左侧的APCUSB-C 3.2 Gen2接口赞同DP1.4图片输入和100W PD来得快充），还附加了一个MicroSD卡槽，便于创意香港市民拷贝资料。

ROG苍14 2022款的CPU现阶段所有两个配有，分别是AMD元谋人7 6800HS和AMD元谋人9 6900HS，我们本次拿回的试验样车是采行AMD元谋人9 6900HSAMD的新版本，它还搭载AMD Radeon RX 6800S、1TB PCIe 4.0 SSD，并板载16GB DDR5 4800单出口处寄存器。我们本次的试验借此是只想通过新近款苍14来想想AMD元谋人9 6900HSAMD的平庸，因此为了让试验来得有值得注意（或许单出口处寄存器对AMD的耐用性有所影响），我们之外配有了一根16GB DDR5 4800寄存器，组成32GB DDR5 4800双出口处寄存器来试验。

所需概述的是，AMD元谋人9 6900HSAMD的适配是轻巧顺理成章型的产品，或许元谋人HS第三部AMD的TDP至少35W，而且ROG苍14 2022款也采行的是轻巧简化机身设计者，机身尺寸为312mm（短）×227mm（阔）×19.5mm（截面积），裸机重量至少1.75kg，因此我们不可从传统记事简化45W标压颇高耐用性该游戏本的角度来分析试验结果，或许苍14这样的的产品早就极其相对于传统记事简化轻巧本的适配了。试验结果如果不会特殊概述，则都选项以ROG苍14的“大振幅提颇高种系统”行驶，AMD试验时至少有端蔽独显。

试验SP配有电子邮件 系统会：Windows 11之中记事家庭版（64位） 触摸端：16英寸IPS端（2560×1600，120Hz） AMD：AMD元谋人9 6900HS（8必需16内核，35W TDP） 集显：AMD Radeon 680M（RNDA 2，12CU，2400MHz） 独显：AMD Radeon RX 6800S（8GB GDDR6，1975MHz） 寄存器：32GB DDR5 4800双出口处 存储的设备：1TB PCIe 4.0 SSD 锂离子：76Wh AMD理论耐用性试验 在AMD计量试验之中，我们主要通过CPU-Z、CINEBENCH R23、CINEBENCH R20、PCMark10计量试验和3DMark CPU Profile来实地AMD元谋人9 6900HS的平庸。再次次强调的是，AMD元谋人9 6900HS是一款35W TDP的AMD，它的适配是轻巧顺理成章型的手写的产品，而不是传统记事简化意义上的颇高耐用性该游戏本的产品（诸如15.6英寸、17英寸等），因此从AMD的适配角度来看，用它和45W标压的AMD对比是不和声的，不过现阶段所第12代酷睿飘移AMD表亲不会H35第三部的产品，为了让试验佳绩对比紧紧来得有参考资料意义，我们找了两台16英寸、配有32GB DDR5 4800双出口处寄存器，搭载酷睿i7-12700H的颇高耐用性该游戏本作为对比SP。

▲ AMD元谋人9 6900HSAMD的TDP至少35W。

因为手写空调系统会设计者的多种不同和OEM对AMD时脉设置的多种不同，我们做为对比的酷睿i7-12700HSP是两台相对来说较的颇高耐用性该游戏本的产品，AMDTDP为45W，PL1时脉为115W，PL2时脉为135W，它的时脉获释水平极其颇高，为了让试验佳绩来得相对于酷睿i7-12700H的平至少有水平，我们的对比SP可选择在“至少有衡种系统”下同步进行。另外，对比佳绩之中的酷睿i9-11900H/酷睿i7-11800HSP也是相对来说较的颇高耐用性该游戏本，而AMD元谋人9 5900HSSP则是上九代ROG苍14。

首先来看代际之间的对比。和上九代AMDAMD元谋人9 5900HS相对来说，全最初AMD元谋人9 6900HS由于采行了Zen 3+组件和6nm厂家技术，而且新近AMD的坚实振幅和仅次于加速振幅也分别颇高了300MHz，所以可以看着AMD元谋人9 6900HS在计量试验；还有分之一10%~13%的主体耐用性险胜，或许AMD元谋人6000第三部飘移AMD的CPU至少有相对前所代的产品来说不会实在大的变异，它的变异主要体现在小型化量比以及接口、网络等后方赞同的可用性上。

如果和最最初酷睿i7-12700HSP相对来说，可以看着35W TDP的AMD元谋人9 6900HS确实爆冷45W TDP的酷睿i7-12700H，不过两者之间的差别在分之一8%范围内，只是在CPU-Z试验；还有11%约莫的差别。所需再次次概述的是，AMD元谋人9 6900HS只是一款35W TDP的AMD，而苍14也是两台极其轻巧的手写，它的佳绩早就需要比拟搭载45W标压AMD的颇高耐用性该游戏本，也实质性凸显了AMD元谋人6000第三部AMD的能效比占优势，这样的平庸本身就值得点赞。

此外，还可以看着，如果和代表上九代酷睿颇高耐用性该游戏本的酷睿i9-11900H对比，35W TDP的AMD元谋人9 6900HS差别也不大，在CINEBENCH R23/R20之中的差别至少2%范围内，只是在3DMark CPU Profile的指令集试验；还有分之一10%的差别。因此综合来看，AMD元谋人9 6900HS的平庸是比较出新彩的。

AMD系统设计耐用性试验 为了实地AMD在至少至少系统设计之中的平庸，我们用PCMark10、Blender、7-Zip、WebXPRT 3、Handbrake等插件从office系统设计办公大楼、渲染、存储/解存储、网页预览、图片数据交换等多种不同各个方面来综合试验。所需概述的是，为了让试验佳绩来得有值得注意，试验步骤之中我们独立停止使用手写的独显。

可以看着，全新近元谋人AMD代际间的耐用性减小是明显的，无论是渲染、图片数据交换还是存储/解存储试验，AMD元谋人9 6900HS的平庸都明显胜过前所代的产品AMD元谋人9 5900HS。而在图片数据交换、PCMark10计量耐用性试验等多个项目之中，AMD元谋人9 6900HS的平庸都与酷睿i9-11900H持平或者稍险胜，这也概述适配轻巧手写的AMD元谋人9 6900HSAMD的主体平庸超出新了适配颇高耐用性的酷睿i9-11900H的水平，这样的平庸是很难以置信的。

另外，和酷睿i7-12700H相对来说，AMD元谋人9 6900HS还是有轻微的差别，不过或许两者的TDP全然多种不同，两个SP的轮廓尺寸和截面积也全然多种不同。况且在来得熟识手写的主体耐用性，来得能反应虚苍之中日常办公大楼布景的PCMark10计量试验之中，AMD元谋人9 6900HSSP相对来说之下只有5%约莫的差别，要明白苍14只是两台14英寸、1.75kg的轻巧的产品，这么小的差别有点儿出新乎意料，全然可以接受。

集显耐用性试验 AMD元谋人6000第三部飘移AMD仅次于的举世闻名还在于外置了全最初RDNA 2插件，最初RDNA2组件导致了来得强的贴图耐用性和动态，尤其是导致了对DirectX 12的赞同，转为了反射跟踪等极其传统记事简化的API等。那么AMD元谋人9 6900HS外置的Radeon 680M插件平庸如何呢？

集显试验这里的三台的设备都采行的是32GB双出口处寄存器，其之中酷睿i9-11900HSP为DDR4 3200寄存器，其他两台的设备则是DDR5 4800寄存器。首先，AMD元谋人9 6900HS外置的Radeon 680M插件以外12组CU两组，插件振幅为2400MHz，所以从试验来看，它的平庸极其出新彩。在3DMark Fire Strike之中险胜酷睿i9-11900H的UHD核显分之一195%，在3DMark Time Spy之中的险胜振幅来得是超出新吓人的254%，在至少至少该游戏试验之中的平庸也险胜285%~358%约莫，这样的平庸极其亮眼，甚至早就相对于独显GTX 1650的水平。

第12代酷睿i7-12700H外置96 EU的锐炬Xe核显，但它在3DMark Fire Strike和Time Spy试验之中和Radeon 680M插件相对来说分别遥遥领先分之一26%、40%，在《F1 2021》至少至少该游戏之中Radeon 680M插件的险胜振幅甚至超出新100%。也就是说，市面上一些顺理成章轻巧手写，12代酷睿之中间派的的产品如果不原则上配有一块独显的话，贴图该游戏耐用性将不会被元谋人6000第三部碾压，只有加配主流等级的独显后才能在贴图耐用性与AMD元谋人6000H第三部的产品抗衡。

总结 并不认为，AMD元谋人9 6900HSAMD的主体平庸是出新彩的，它是一款35W TDP、适配轻巧顺理成章型手写的AMD，但是它的耐用性却超过适配颇高耐用性该游戏本的酷睿i9-11900H，即便和最最初、时脉来得颇高的酷睿i7-12700HSP相对来说，AMD元谋人9 6900HS的差别也很小，来得何况AMD元谋人9 6900HSSP（ROG苍14）还有来得轻巧小巧的机身。AMD对这九代元谋人AMD综合加强了小型化量比各个方面的可用性，导致了来得颇高的每瓦耐用性，比如AMD元谋人9 6900HS的每瓦耐用性正因如此酷睿i7-12700H的每瓦耐用性，这也使得前所者来得适合那些灵活、纤薄、小巧的手写的产品。

另外，AMD元谋人6000第三部飘移AMD在集显各个方面也成名，九代元谋人飘移AMD采行了RDNA 2组件的插件，导致了耐用性上的大振幅险胜，再次加上DX12和反射跟踪新近技术的赞同，实质性减小了AMD元谋人6000第三部飘移AMD的主体竞争能力。这让月内的手写美国市场，之外是颇高耐用性轻巧本美国市场变得来得有的大。况且，AMD元谋人6000第三部飘移AMD还附加了USB4、Wi-Fi 6E、PCIe 4.0 SSD等AMD后方各个方面的赞同，补足了以往元谋人手写的短板。来得强的耐用性、来得出新彩的小型化量比、紧接善的后方赞同、来得多的OEMSP……综合来看AMD元谋人6000第三部飘移AMD看来不会之前让AMD手写YES紧紧。

。

晕船怎么缓解
天津妇科医院哪家好点
南京妇科专科医院哪个好
青岛看癫痫医院哪个好
辽宁男科医院哪个比较好